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CdWO4 섬광 검출기

CdWO4 섬광 검출기

카드뮴 텅스텐 산염 CdWO4 (CWO)는 낮은 내재적 배경과 잔광이 충분히 높은 수율로 인해 매우 낮은 활동 및 컴퓨터 단층 촬영에서 방사성 핵종의 분광계 및 복사도 측정에 가장 유망한 기술입니다. 크리스탈은 투명하고 ...

Product Details

카드뮴 텅스텐 산염 CdWO4 (CWO)는 낮은 내재적 배경과 잔광이 충분히 높은 수율로 인해 매우 낮은 활동 및 컴퓨터 단층 촬영에서 방사성 핵종의 분광계 및 복사도 측정에 가장 유망한 기술입니다.

이 결정체는 투명하고 감마선 및 x- 선에 의해 충돌되면 빛을 방출하여 이온화 방사선의 검출기로 유용합니다. 최대 신틸레이션 파장은 480 nm (380-660 nm 사이의 방출 범위) 및 13000 광자 / MeV의 효율입니다. 비교적 높은 수율을 보이며, 광 출력은 NaI (Tl)의 약 40 %이지만 섬광 시간은 꽤 길다 (12-15μs). 이것은 종종 컴퓨터 단층 촬영에 사용됩니다. 신틸 레이터 결정과 붕소 카바이드의 외부 적용 부분을 결합하면 감마선과 중성자 선의 소형 탐지기를 구성 할 수 있습니다.

명세서

섬광 속성

기재

CdWO4

광 수율 (Photon / MeV)

13000

감쇠 시간 (μs)

12-15

피크 방출 (nm)

480

노을 후

0.1 % @ 6ms

밀도 (g / cm3)

7.9

흡습성

아니

광학 그레이드 용 연마 규격

표준 정밀도

고정밀

초정밀

오리엔트

<1>

<0.5>

<0.2>

두께 / 직경 공차

± 0.10 mm

± 0.05 mm

± 0.02 mm

표면 평탄도 @ 633nm

<>

<λ 2-λ="">

λ / 4-λ / 6

파면 왜곡

<(2-4)>

<(1-2)>

<(λ-λ>

표면 품질

60/40

40/20

20/10

평행

45 "

1

10 '

수직

60 '

30 '

20 '

조리개 지우기

> 90 %

Ch감

<0.2mm ×="" 45="">

코팅

요청시 이용 가능

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